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IRFB4620PBF  与  BUZ30A H3045A  区别

型号 IRFB4620PBF BUZ30A H3045A
唯样编号 A-IRFB4620PBF A-BUZ30A H3045A
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 72.5mΩ 100mΩ
上升时间 22.4ns 70ns
Qg-栅极电荷 25nC -
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 37S -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 25A 21A
配置 Single Single
长度 10mm 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 14.8ns 90ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V -
高度 15.65mm 15.65mm
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 144W 125W
典型关闭延迟时间 25.4ns 250ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
典型接通延迟时间 13.4ns 30ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4620PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 25A 72.5mΩ 20V 144W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
IRF630NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
STP40NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 1,000 对比
IRF640NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 150W(Tc) 150mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
STP40NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
BUZ30A H3045A Infineon  数据手册 功率MOSFET

BUZ30AH3045AATMA1_200V 21A 100mΩ 20V 125W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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